Különbség a BJT és a MOSFET között A különbség a
A BJT és a MOSFET tranzisztorok mindegyike hasznos erősítő és kapcsoló alkalmazásokhoz. Mégis lényegesen eltérő jellemzőkkel bírnak.
A BJT, mint a Bipoláris Junction tranzisztor, egy félvezető eszköz, amely a régi idők vákuumcsöveit helyettesíti. A készülék egy áramvezérelt eszköz, ahol a kollektor vagy emitter kimenet a bázisban lévő áram függvénye. Alapjában véve a BJT tranzisztor működési módját a bázisban lévő áram vezérli. A BJT tranzisztor három terminálját emitternek, kollektornak és bázisnak nevezik.
A BJT valójában egy három részből álló szilíciumdarab. Két rés van benne, ahol minden régiót különbözőképpen neveznek "" a P és az N. A kétféle BJT, az NPN tranzisztor és a PNP tranzisztor. A típusok töltőhordozóikban különböznek egymástól, ahol az NPN elsődleges hordozója, míg a PNP elektronok.
A két BJT tranzisztor, PNP és NPN működési elve gyakorlatilag azonos; az egyetlen különbség az előfeszítés, valamint a tápegység polaritása az egyes típusoknál. Sokan kedvelik a BJT-ket kis teljesítményű alkalmazásokhoz, például kapcsolási célokra, egyszerűen azért, mert olcsóbbak.
Fémoxid félvezető térhatású tranzisztor, vagy egyszerűen MOSFET, néha MOS tranzisztor, feszültség vezérelt eszköz. A BJT-vel ellentétben nincs jelen alapáram. Van azonban egy mező, amelyet egy feszültség hoz létre a kapun. Ez lehetővé teszi az áram áramlását a forrás és a lefolyó között. Ez az áramlás lecsillapítható vagy nyitva lehet a kapu feszültségén.
Ebben a tranzisztorban az oxid-szigetelésű kapuelektródon lévő feszültség egy csatornát hozhat létre a másik "érintkező" forrás és a leeresztő vezeték között. A MOSFET-ok nagyszerűsége az, hogy hatékonyabban kezelik a hatalmat. A MOSFET-ek napjainkban a legelterjedtebb tranzisztorok a digitális és analóg áramkörökben, az akkor igen népszerű BJT-k helyettesítésével.
Összefoglaló:
1. A BJT egy bipoláris összekötő tranzisztor, míg a MOSFET fémoxid félvezető térhatású tranzisztor.
2. A BJT-nek van egy kibocsátója, egy kollektor és egy bázisa, míg a MOSFET kapu, forrás és leeresztő.
3. A BJT-k előnyben részesülnek az alacsony áramú alkalmazásoknál, míg a MOSFET-ek nagy teljesítményű funkciókhoz.
4. A digitális és analóg áramkörökben a MOSFET-eket napjainkban gyakrabban használják, mint a BJT-ket.
5. A MOSFET működése az oxidált szigetelő kapuelektródtól való feszültség függvénye, míg a BJT működése a bázis áramától függ.
