Különbség a MOSFET és a BJT között

MOSFET vs BJT

A tranzisztor egy elektronikus félvezető eszköz, amely nagymértékben változó elektromos kimenőjelet ad a kisebb bemenő jelek kis változásaihoz. Ennek a minőségnek köszönhetően a készülék erősítő vagy kapcsolóként is használható. A tranzisztort az 1950-es években adták ki, és a 20. század egyik legfontosabb találmányának tekinthető, tekintve az IT-hez való hozzájárulást. Ez egy gyorsan fejlődő eszköz, és számos típusú tranzisztort vezettek be. A bipoláris összekötő tranzisztor (BJT) az első típus és a Metal Oxide Semiconductor térhatás tranzisztor (MOSFET) egy későbbi tranzisztor típusú.

Bipoláris összekötő tranzisztor (BJT)

A BJT két PN csomópontból áll (a p típusú félvezető és az n típusú félvezető csatlakoztatásával létrejött csomópont). Ez a két csomópont úgy alakul ki, hogy P-N-P vagy N-P-N sorrendben összekapcsolja a három félvezető darabot. Ezért a PNP és az NPN néven ismert kétféle BJT típus létezik.

Három elektróda csatlakozik ehhez a három félvezető részhez, a középső ólom pedig "alap". Más két csomópont "emitter" és "gyűjtő".

A BJT-ben a kis kollektor-emitter (Ic) áramot a kis bázisemitter áram (IB) vezérli, és ezt a tulajdonságot erősítők vagy kapcsolók tervezésekor használják. Ezért az áramvezérelt eszköznek tekinthető. A BJT-t leginkább erősítő áramkörökben használják.

Fémoxid félvezető mágneses hatású tranzisztor (MOSFET)

A MOSFET egy olyan mezőhatás-tranzisztor (FET) típusú, amely három terminálból áll: "Gate", "Source" és " Csatorna'. Itt a leeresztő áramot a kapufeszültség szabályozza. Ezért a MOSFET-ek feszültségvezérelt eszközök.

A MOSFET-ek négy különböző típusban állnak rendelkezésre, például n csatorna vagy p csatorna, akár kimerülő vagy bővítő módban. Az elvezetés és a forrás n típusú félvezetőből áll n csatornás MOSFET-ekhez, és hasonlóképpen a p-csatornákhoz. A kapu fémből készült, a forrástól elválasztva, és fém-oxid alkalmazásával. Ez a szigetelés alacsony fogyasztást eredményez, és ez a MOSFET előnye. Ezért a MOSFET-et digitális CMOS logikában használják, ahol a p- és az n-csatornás MOSFET-eket építőelemekként használják az energiafogyasztás minimalizálására.

Bár a MOSFET koncepcióját nagyon korai (1925-ben) javasolták, gyakorlatilag 1959-ben került bevezetésre a Bell laborban.

BJT vs MOSFET 1. A BJT alapvetően egy áramvezérelt eszköz, azonban a MOSFET feszültségvezérelt eszköznek tekintendő. 2. A BJT termináljait emitternek, kollektornak és bázisnak nevezik, míg a MOSFET kapu, forrás és lefolyó. 3. Az új alkalmazások nagy részében MOSFET-eket használnak, mint a BJT-k. 4. A MOSFET komplex szerkezete a BJT 5-hez képest. A MOSFET hatásos az energiafogyasztásban, mint a BJT-k, ezért a CMOS logikában használják.